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参数资料
| 型号： | 1N5619X |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | 1N5619X |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 1N485B | 0.15 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N486X | 0.15 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N457A | 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N914BR | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N5620/4 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5620C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
| 1N5620-E3 | 制造商:KEMET Corporation 功能描述: 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| 1N5620-E3/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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