参数资料
型号: 1N5627GPHE3/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 66K
描述: DIODE 800V 3A DO-201AD
标准包装: 1,400
系列: SUPERECTIFIER®
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 800V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 3A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 800V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商设备封装: DO-201AD
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV
100
wwwymhayeom
5
Pulse Width : 300 us1 D/D Duty Cycle
instantaneous Forvvard Current (A)
0.7 0.5 0.9 1.0 1.1 1.2Instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
10
0.1
instantaneous Reverse Current (UA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
0 210 5.30.190 (4.6)DIA.
0.052 (1 .32)0.048 (1 .22)D\"‘
Revision: 11-Dec-13
100
1 N5624G P, 1 N5625GP, 1 N5626G P, 1 N5627G P
Vishay General Semiconductor
E3wEE
'6
m(Lm0:
.9
S::1
10
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Do-2o1AD
1.0 (25.4)MIN.
3For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
lkli
0.375 9.5)0.285 (7.2)
lll
1.0 (25.4)MIN.
47
Document N umber: 88524
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