型号: | 1N5637 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 491K |
代理商: | 1N5637 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5644 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
1.5SE110A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5SE15 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5SE200 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5SE62A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N5637A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi 1N5637A TVS |
1N5637A/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12.8V 电压 - 击穿(最小值):14.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):71A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:100 |
1N5637AE3 | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12.8V 电压 - 击穿(最小值):14.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):71A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:100 |
1N5637AE3/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12.8V 电压 - 击穿(最小值):14.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):71A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:100 |
1N5637AJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |