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参数资料
| 型号： | 1N5637 |
| 厂商： | PROTEK DEVICES |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | 1N5637 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5648 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N5641 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N5681 | 6.8 pF, 45 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5683A | 10 pF, 45 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5684B | 12 pF, 45 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5637A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi 1N5637A TVS |
| 1N5637A/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.8V 电压 - 击穿（最小值）:14.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA） 标准包装:100 |
| 1N5637AE3 | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.8V 电压 - 击穿（最小值）:14.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA） 标准包装:100 |
| 1N5637AE3/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.8V 电压 - 击穿（最小值）:14.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA） 标准包装:100 |
| 1N5637AJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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