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参数资料
| 型号： | 1N5665A |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 1N5665A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6051A | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N4001AHD | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001AT-93 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4002AT-20 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4002AT-21Y | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5666A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Transient Absorption Zener |
| 1N567 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
| 1N568 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| 1N5681 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:VARACTOR DIODE, 5P < C(T)(NOM) s 10P F |
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