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参数资料
| 型号： | 1N5708B |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | VHF-UHF BAND, 68 pF, 65 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 1N5708B |
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PDF描述 |
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| 1N5711-1 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N5711-AR2 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5709B | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:ABRUPT VARACTOR DIODE |
| 1N571 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
| 1N5711 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 15mA 70 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N5711#T25 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70 VBR 2 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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