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参数资料
| 型号： | 1N5710B |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | 100 pF, 65 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 1N5710B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N5442C | 8.2 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5454C | 68 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 15KP100-2 | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N4003AVS | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5711 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 15mA 70 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N5711#T25 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70 VBR 2 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N5711#T50 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70 VBR 2 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N5711 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE SCHOTTKY RF |
| 1N5711/D7 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,70V V(RRM),DO-204AH |
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