参数资料
型号: 1N5737B
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 11 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
文件页数: 1/1页
文件大小: 110K
代理商: 1N5737B
相关PDF资料
PDF描述
1N5746B 27 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5748A 33 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5748B 33 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5751A 43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5755A 62 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5737C 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1
1N5737D 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1
1N5738 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400MW ZENER DIODES
1N5738A 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1N5738B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 12V 5% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk