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参数资料
| 型号： | 1N5806 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1.3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, G111, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | 1N5806 |
RECTIFIER, up to 150V, 2.5A,
25ns
1N5802
1N5804
1N5806
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PDF描述 |
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| 1N4968 | 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5806/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A，轴向 供应商器件封装:A，轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
| 1N5806C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| 1N5806CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
| 1N5806D2A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DIODE HI-REL RECT 150V 1A DLCC2 |
| 1N5806D2B | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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