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参数资料
| 型号： | 1N5810 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | 1N5810 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5811 | 功能描述:DIODE 150V 6A 25NS AXIAL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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| 1N5811C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| 1N5811C3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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