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参数资料
| 型号： | 1N5811 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 1N5811 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5950B-T/R | 110 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5358B | 22 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N4003R-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4007R-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5400-T/R | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5811 (CAT3) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N5811 |
| 1N5811 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 6A 150V G4 |
| 1N5811C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| 1N5811C3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
| 1N5811CB | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 6A 2PIN E - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case E |
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