| 型号: | 1N5811US |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 6 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 2/2页 |
| 文件大小: | 52K |
| 代理商: | 1N5811US |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N969B.TR | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N970BT26A | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N971BT26R | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5260/D8 | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 1N5264B/D8 | 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5811US/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
| 1N5811USC3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:LAWRENCE CAT 3 BOND - Bulk |
| 1N5811USE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N5811USE3 - Bulk |
| 1N5811USJANS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述: |
| 1N5811USJANTX | 制造商:SEM 功能描述: |