型号: | 1N5817TR-RPCU |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
封装: | DO-41SP, 2 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 25K |
代理商: | 1N5817TR-RPCU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N5819TR-RPCU | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N3516 | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N3522TR-RMCU | 15 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N4110TR-RMCU | 16 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5817W | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
1N5817WB | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODES |
1N5817WS | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
1N5818 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Vr/30V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
1N5818 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |