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参数资料
| 型号： | 1N5818 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | Schottky barrier diodes |
| 中文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5818 |
1996 May 03
3
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Notes
1. Refer to SOD81 standard mounting conditions.
2. For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications, the reverse power
losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determination of the reverse power losses
PR and IF(AV) rating will be available on request.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VR
continuous reverse voltage
1N5817
20
V
1N5818
30
V
1N5819
40
V
VRSM
non-repetitive peak reverse voltage
1N5817
24
V
1N5818
36
V
1N5819
48
V
VRRM
repetitive peak reverse voltage
1N5817
20
V
1N5818
30
V
1N5819
40
V
VRWM
crest working reverse voltage
1N5817
20
V
1N5818
30
V
1N5819
40
V
IF(AV)
average forward current
Tamb =55 °C; Rth j-a = 100 K/W;
note 1; VR(equiv) = 0.2 V; note 2
1A
IFSM
non-repetitive peak forward current
t = 8.3 ms half sine wave;
JEDEC method;
Tj =Tj max prior to surge: VR =0
25
A
Tstg
storage temperature
65
+175
°C
Tj
junction temperature
125
°C
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PDF描述 |
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