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参数资料
| 型号： | 1N5818 |
| 英文描述： | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 中文描述： | 肖特基整流 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5818 |
1996 May 03
2
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
FEATURES
Low switching losses
Fast recovery time
Guard ring protected
Hermetically sealed leaded glass
package.
APPLICATIONS
Low power, switched-mode power
supplies
Rectifying
Polarity protection.
DESCRIPTION
The 1N5817 to 1N5819 types are Schottky barrier diodes fabricated in planar
technology, and encapsulated in SOD81 hermetically sealed glass packages
incorporating ImplotecTM(1) technology.
(1) Implotec is a trademark of Philips.
Fig.1 Simplified outline (SOD81) and symbol.
handbook, 4 columns
a
k
MAM218
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PDF描述 |
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| 1N5818 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,000 |
| 1N5818 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:2,000 |
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