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参数资料
| 型号： | 1N5819HRV |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 1N5819HRV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5819R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5819 | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5820 | 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5821ID | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5819HW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5819HW_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5819HW_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5819HW1-7-F | 功能描述:DIODE RECT SB 40V 1A SOD123F 制造商:diodes incorporated 系列:SBR? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:超级势垒 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:510mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 |
| 1N5819HW7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
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