参数资料
型号: 1N5821
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/3页
文件大小: 43K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO-201AD
标准包装: 1,250
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500µA @ 30V
电容@ Vr, F: 190pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商设备封装: DO-201AD
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 1N5821-ND
1N5821FS
1N5820-1N5822
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
1N5820-1N5822, Rev. C
1N5820 - 1N5822
Schottky Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
3.0 ampere operation at TA
= 95°C
with no thermal runaway.
?
For use in low voltage, high
frequency inverters free
wheeling, and polarity
protection applications.
Symbol
Parameter
Device
Units
1N5820 1N5821
1N5822
VF
Forward Voltage @ 3.0 A
@ 9.4 A
475
850
500
900
525
950
mV
mV
IR
Reverse Current @ rated VR
T
A = 25°C
0.5
mA
20
mA
TA = 100°C
CT
Total Capacitance
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
190 pF
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Units
1N5820 1N5821
1N5822
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 20 30 40 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current
3/8 " lead length @ TA
= 95
°C
3.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
80 A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +125
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +125
°C
DO-201AD
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 3.6 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 28
°C/W
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