- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录70180 > 1N5821H32-1 (RECTRON LTD) 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N5821H32-1 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | 1N5821H32-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5821H32 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5821H36-3 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5821H36-4 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5821H36 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5821M25 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5821HA0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5821HB0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5821HR0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,250 |
| 1N5821-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 1N5821R0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Rectifier diode, 1N5821 R0 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。