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参数资料
| 型号： | 1N5822 |
| 英文描述： | IC ENCORE XP MCU FLASH 8K 20SSOP |
| 中文描述： | 肖特基整流 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 1N5822 |
1N5820US thru 1N5822US
IR,
REVERSE
CURRENT
(mA)
+25
+50
+75
+100
+125
TJ , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 1
TYPICAL FORWARD VOLTAGE
I F
,
FOR
W
ARD
CURRENT
,
INST
ANT
ANEOUS
(AMPS)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VF, FORWARD VOLTAGE, INSTANTANEOUS (VOLTS)
FIGURE 2
100.0
10.0
1.0
0.1
0.01
10.0
1.0
0.1
0.01
0.001
TYPICAL REVERSE LEAKAGE CURRENT AT RATED PIV (PULSED)
CDLL5822
CDLL5821
CDLL5820
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5826R | SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 15 A |
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| 1N6082 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N5822 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5822 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 |
| 1N5822 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 40V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5822 R0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,250 |
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