参数资料
型号: 1N5822H33
厂商: RECTRON LTD
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
文件页数: 1/1页
文件大小: 148K
代理商: 1N5822H33
相关PDF资料
PDF描述
1H2-I 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4933H09 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4944H09 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4946M03 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1A4-E 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5822HA0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:200pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500
1N5822HB0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:200pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500
1N5822HR0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:200pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,250
1N5822JAN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Schottky 40V 3A 2-Pin Case B 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Schottky 40V 3A 2-Pin Case B
1N5822-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS