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参数资料
| 型号： | 1N5949B |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 100 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 1N5949B |
Zener Diodes
(Continued)
www.centr alsemi.com
For complete specifications, please consult factory.
*Not recommended for new designs.
POWER
1.5 WATT
2.0 WATT
2.5 WATT
CASE
DO-41
AX-5W
ZENER
HIGH
INDUSTRY
HIGH
GENERAL
VOLTAGE
PERFORMANCE
STANDARD
VOLTAGE
PURPOSE
33
1N4477
1N5937B
1N5036A*
36
1N4478
1N5938B
1N5037A*
39
1N4479
1N5939B
1N5038A*
43
1N4480
1N5940B
1N5039A*
45
1N5040A*
47
1N4481
1N5941B
1N5041A*
50
1N5042A*
51
1N4482
1N5942B
1N5043A*
52
1N5044A*
56
1N4483
1N5943B
1N5045A*
62
1N4484
1N5944B
1N5046A*
68
1N4485
1N5945B
1N5047A*
75
1N4486
1N5946B
1N5048A*
82
1N4487
1N5947B
1N5049A*
91
1N4488
1N5948B
1N5050A*
100
1N4489
1N5949B
C2Z100B
1N5051A*
110
1N4490
1N5950B
C2Z110B
120
1N4491
1N5951B
C2Z120B
130
1N4492
1N5952B
C2Z130B
150
1N4493
1N5953B
C2Z150B
160
1N4494
1N5954B
C2Z160B
180
1N4495
1N5955B
C2Z180B
200
1N4496
1N5956B
C2Z200B
300
C2Z300B
330
C2Z330B
(6-December 2004)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5942B | 51 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
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| 1N5951C | 120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N5952D | 130 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N5955C | 180 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5949B BK | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:DO-41 标准包装:2,000 |
| 1N5949B G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 100V 5% 1.25W 2PIN DO-41 - Bulk |
| 1N5949B P | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO-41 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| 1N5949B TR | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 |
| 1N5949BE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.5W, VZ = 100V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.5W 100V 5% DO-41 |
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