参数资料
型号: 1N5992B
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 4.7 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封装: HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 228K
代理商: 1N5992B
Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5985 thru 1N6031-1, e3 DO-35
1N5985
1N6031-1,
e3
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2006
5-09-2006 REV B
TL Lead Temperature at 3/8” From Body
or TA on FR4 PC Board
FIGURE 1
POWER DERATING CURVE
FIGURE 2
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
Pd,
Rated
Pow
e
rDissipation
(mW)
PACKAGE DIMENSIONS
All dimensions in INCH
mm
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料
PDF描述
1N705 4.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5999B 9.1 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5253B(DO7) 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
1N6015D 43 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5272A(DO7) 110 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5992B BK 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500
1N5992B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 4V7
1N5992B_T50A 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5992B_T50R 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5992B-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 4.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R