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参数资料
| 型号： | 1N5995AUR-1 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-80, MELF-2 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | 1N5995AUR-1 |
METALLURGICALLY BONDED GLASS
SURFACE MOUNT 500 mW Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2003
11-05-2003 REV 0
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
1N5985UR-1 thru 1N6031BUR-1
( or MLL5985-1 thru MLL6031B-1)
1N5985UR
thru
1N6031BUR-1
GRAPHS
TEC, End Cap Temperature (
oC) or TA
Ambient temperature on FR4 PC board
FIGURE 1
POWER DERATING CURVE
FIGURE 2
Pd,
Rated
Po
wer
Dissipation
(mW)
TEC
TA
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
PACKAGE DIMENSIONS and PAD LAYOUT
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.063
0.067
1.60
1.70
B
0.130
0.146
3.30
3.70
C
0.016
0.022
0.41
0.55
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.200
5.08
B
.055
1.40
C
.080
2.03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N6022AUR-1 | 82 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 1N6026BUR-1 | 120 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 1N4679RA1 | 2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5995B | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5995B BK | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N5995B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 6V2 |
| 1N5995B TR | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 |
| 1N5995B_T50A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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