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参数资料
| 型号： | 1N6001B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 1N6001B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6002B | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6006A | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6011B | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6012B | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6015B | 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6001B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 11V |
| 1N6001B_T50A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6001B_T50R | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6001B-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Micro Commercial Components 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N6001BUR-1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 500mW 2-Pin DO-213AA |
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