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参数资料
型号： 1N6003B
厂商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 13 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封装： HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
文件页数： 3/3页
文件大小： 228K
代理商： 1N6003B
Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5985 thru 1N6031-1, e3 DO-35
1N5985
1N6031-1,
e3
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2006
5-09-2006 REV B
TL Lead Temperature at 3/8” From Body
or TA on FR4 PC Board
FIGURE 1
POWER DERATING CURVE
FIGURE 2
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
Pd,
Rated
Pow
e
rDissipation
(mW)
PACKAGE DIMENSIONS
All dimensions in INCH
mm
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料
PDF描述
1N6023C 91 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5940D 43 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1.2KE51C 1200 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.2KE70C 1200 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.5KE150C 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N6003B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 13V
1N6003B_T50A 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N6003B_T50R 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N6003B-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 13V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R
1N6003C 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 13V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO-35
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