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参数资料
| 型号： | 1N6009B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 1N6009B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6075 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4969 | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N4970 | 33 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N4729A | 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N6123A | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6009B BK | 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N6009B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 24V |
| 1N6009B_T50A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6009B_T50R | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6009B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW, 5mA, 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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