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参数资料
| 型号： | 1N6018B |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 1N6018B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6316 | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5418 | 4.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6077 | 1.3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4151 | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N6120A | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6018B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 56V |
| 1N6018B_T50A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6018B_T50R | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6018C | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 56V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO-35 |
| 1N6018D | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 56V 1% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO-35 |
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