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参数资料
| 型号： | 1N6019B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 68 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 1N6019B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N6022B | 91 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6027A | 140 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6027B | 140 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6029A | 160 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6019B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 62V |
| 1N6019B_T50A | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6019B_T50R | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N6019C | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 62V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk |
| 1N6019D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Zener Voltage Regulator Diode[Qual Data] |
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