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参数资料
| 型号： | 1N6118AV |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | 1N6118AV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N6118US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 25.1V 500W 2PIN D-5B - Bulk |
| 1N6119 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 27.4V 500W 2PIN E - Bulk |
| 1N6119A | 功能描述:DIODE TVS 27.4V 500W AXL BI RoHS:否 类别:过电压，电流，温度装置 >> TVS - 二极管 系列:- 标准包装:2,000 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离（标准值）:8V 电压 - 击穿:8.89V 功率（瓦特）:500W 电极标记:单向 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向 供应商设备封装:DO-204AC（DO-15） 包装:带盒（TB） |
| 1N6119AUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 27.4V 500W 2PIN MELF - Bulk |
| 1N6119AUS/TR | 功能描述:BI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:27.4V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:49.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:100 |
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