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参数资料
| 型号： | 1N6130US |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | 1N6130US |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 110MT100K | 3 PHASE, 110 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 110MT160K | 3 PHASE, 110 A, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 130MT100K | 3 PHASE, 130 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N6131A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 86.6V 500W 2PIN E-LINE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W B-PKG AXIAL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL |
| 1N6131AJANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N6131AUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 86.6V 500W 2PIN MELF - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W SQ-MELF SMD 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 86.6VWM SQMELF |
| 1N6131US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 86.6V 500W 2PIN D-5B - Bulk |
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