| 型号: | 1N6263W |
| 厂商: | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述: | 0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装: | PLASTIC, SOD-123, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 16K |
| 代理商: | 1N6263W |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6263 | 0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N6267/4H | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6272A/62 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6272A/65 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6274/91 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6263W_ | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 1N6263W_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 1N6263W-7 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60V 250mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N6263W-7-F | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60V 250mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 1N6263WS | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE |