- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录140804 > 1N6267 UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N6267 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 1N6267 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1.5SMC24A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N5405 | 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6159HRX | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6147HRV | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SZ50 | SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6267/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 6.8V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6267/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 6.8V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6267/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 6.8V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6267_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
| 1N6267A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.8V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。