型号: | 1N6267CHE3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 118K |
代理商: | 1N6267CHE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N6287CAHE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N2156R | 40 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
1N2281R | 40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
1N3154A-1-3% | 8.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-204AA |
1N3155-1-1% | 8.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6267CL | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
1N6267E3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
1N6267-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 6.8V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6267-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 6.8V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6267-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 6.8V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |