参数资料
型号: 1N6269AHE3
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN
文件页数: 5/7页
文件大小: 118K
代理商: 1N6269AHE3
1.5KE6.8 thru 1.5KE540A, 1N6267 thru 1N6303
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number: 88301
Revision: 20-Sep-07
110
Figure 5. Power Derating Curve
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current
Uni-Directional only
Figure 7. Incremental Clamping Voltage Curve (Uni-Directional)
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
P
D
-
P
o
w
er
Dissipation
(
W
)
TL - Lead Temperature (°C)
L = 0.375" (9.5 mm)
Lead Lengths
1
10
100
10
100
200
T
J = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
0.5
1
2
10
20
50
0.1
0.2
1.0
2.0
10
20
100
Waveform:
8/20 sImpulse
1.5KE200
1.5KE6.8
1.5KE9.1
1.5KE18
1.5KE12
1.5KE130
1.5KE100
1.5KE75
1.5KE39
1.5KE33
IPP - Peak Pulse Current (A)
Δ
V
C
-
Incremental
Clamping
V
oltage
ΔV
C = VC - VBR
Figure 8. Incremental Clamping Voltage Curve (Uni-Directional)
Figure 9. Incremental Clamping Voltage Curve (Bi-directional)
Figure 10. Incremental Clamping Voltage Curve (Bi-Directional)
0.5
1
2
10
50
0.1
0.2
1.0
2.0
10
20
100
Δ
V
C
-
Incremental
Clamping
V
oltage
Waveform:
10/1000 s Impulse
ΔV
C = VC - VBR
1.5KE200
1.5KE130
1.5KE75
1.5KE39
1.5KE33
1.5KE6.8
1.5KE9.1
IPP - Peak Pulse Current (A)
0.5
1
2
10
20
50
1.5KE200C
1.5KE75C
1.5KE39C
1.5KE15C
11C
1.5KE7.5C
1.5KE30C
0.1
0.2
1.0
2.0
10
20
100
Waveform:
10/1000 sImpulse
IPP - Peak Pulse Current (A)
Δ
V
C
-
Incremental
Clamping
V
oltage
ΔV
C = VC - VBR
0.5
1
2.0
10
20
50
1.5KE200C
1.5KE75C
1.5KE39C
1.5KE15C
1.5KE11C
1.5KE7.5C
1.5KE30C
0.1
0.2
1
2
10
20
100
IPP - Peak Pulse Current (A)
Waveform:
8/20 sImpulse
Δ
V
C
-
Incremental
Clamping
V
oltage
ΔV
C = VC - VBR
相关PDF资料
PDF描述
1N6269CAE3 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6269CE3 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6269CHE3 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6270AHE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6270HE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N6269AHE3/51 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):7.02V 电压 - 击穿(最小值):7.79V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):124A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500
1N6269AHE3/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.2V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6269AHE3/73 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 8.2V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6269AHE3_A/C 功能描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):7.02V 电压 - 击穿(最小值):7.79V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):124A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400
1N6269AHE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):7.02V 电压 - 击穿(最小值):7.79V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):124A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000