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参数资料
| 型号： | 1N6270ACOX.120 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | 1N6270ACOX.120 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N6271COX.250 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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| 1N6282COX.120 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6286ACOX.160 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6303ACOX.250 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6270AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
| 1N6270A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 9.1V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6270A-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 9.1V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6270AG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
| 1N6270AHE3/51 | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:7.78V 电压 - 击穿（最小值）:8.65V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:112A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500 |
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