型号: | 1N6270HE3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 118K |
代理商: | 1N6270HE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6270L | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
1N6271 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
1N6271A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6271A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6271A/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |