型号: | 1N6272AE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 1, 2 PIN |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 228K |
代理商: | 1N6272AE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N6289E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1N939BE3 | 9 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-7 |
1N957A-1E3TR | 6.8 V, 0.417 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AA |
1N957AE3(DO7) | 6.8 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
1N961BE3(DO7) | 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6272AG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 11V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6272AHE3/51 | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.4V 电压 - 击穿(最小值):10.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:15.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):96.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500 |
1N6272AHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6272AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6272AHE3_A/C | 功能描述:TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):9.4V 电压 - 击穿(最小值):10.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:15.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):96.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400 |