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参数资料
| 型号： | 1N6273A-B |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 1N6273A-B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6284A-T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N4947 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5394 | 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 1N5404 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N459T50A | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6273AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
| 1N6273A-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6273A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6273A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6273A-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 12V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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