参数资料
型号: 1N6276AE3TR
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装: PLASTIC, CASE 1, 2 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 228K
代理商: 1N6276AE3TR
Unidirectional & Bidirectional
Transient Voltage Suppressors
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6267 thru 1N6303A, e3
1.5KE6.8 thru 1.5KE400CA, e3
1N6
267
1
N
6303
A,
e3
1.5KE6.8
GRAPHS
FIGURE 1
Peak Pulse Power vs.
Pu
) in
lse Time (tW
μs
Pulse Time (tw) in
μs
Peak
Pulse
Power
(
P
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o CR
at
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g
1
.5KE400
A
FIGURE 2
Pulse Wave Form
TL Lead Temperature
oC
,e
3
FIGURE 3
Derating Curve
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
10-03-2007 REV F
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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PDF描述
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参数描述
1N6276AG 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6276AG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode
1N6276AHE3/51 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):13.6V 电压 - 击穿(最小值):15.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):66.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500
1N6276AHE3/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 16V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6276AHE3/73 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 16V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C