参数资料
| 型号： | 1N6281AG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 1500W 27V UNIDIRECT AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | Mosorb™ Axial Side |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | Mosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 23.1V |
| 电压 - 击穿： | 25.7V |
| 功率（瓦特）： | 1500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 2387 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N6281AGOS |
1N6267A Series
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 5
100
80
60
40
20
1
0.1 m s
1 m s
10 m s 100 m s
t P , PULSE WIDTH
1 ms
10 ms
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Pulse Rating Curve
1N6373, ICTE-5, MPTE-5,
through
1N6389, ICTE-45, C, MPTE-45, C
Figure 2. Pulse Derating Curve
1N6267A/1.5KE6.8A
through
1N6303A/1.5KE200A
10,000
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
10,000
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
MEASURED @ V RWM
MEASURED @ V RWM
100
100
10
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance versus Breakdown Voltage
5
3/8 ″
3/8 ″
100
t r
PEAK VALUE ? I PP
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF I PP .
tr ≤ 10 m s
4
3
50
HALF VALUE ?
I PP
2
2
1
t P
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
200
0
0
1
2
t, TIME (ms)
3
4
Figure 4. Steady State Power Derating
http://onsemi.com
4
Figure 5. Pulse Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6275AG | TVS 1500W 15V UNIDIRECT AXIAL |
| 929834-05-17-RK | CONN HEADER .100 SNGL STR 17POS |
| 1.5KE6.8AG | TVS 1500W 6.8V UNIDIRECT AXIAL |
| 929834-02-29-RK | CONN HEADER .100 SNGL STR 29POS |
| 1.5KE43AG | TVS 1500W 43V UNIDIRECT AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6281AHE3/51 | 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:37.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:40A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500 |
| 1N6281AHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6281AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 27V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6281AHE3_A/C | 功能描述:TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:37.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:40A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,400 |
| 1N6281AHE3_A/D | 功能描述:TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:37.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:40A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,000 |
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