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参数资料
| 型号： | 1N6282A-T |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 1N6282A-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6288A-A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N5395 | 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 1N5309CO | 3 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE |
| 1N960B | 9.1 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N973B | 33 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6283 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:1.5KW,33V 10%,UNIDIR,AXIAL TVS - Bulk |
| 1N6283/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 33V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6283/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6283A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6283A/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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