参数资料
型号: 1N6284E3TR
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装: PLASTIC, CASE 1, 2 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 228K
代理商: 1N6284E3TR
Unidirectional & Bidirectional
Transient Voltage Suppressors
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6267 thru 1N6303A, e3
1.5KE6.8 thru 1.5KE400CA, e3
1N6
267
1
N
6303
A,
e3
1.5KE6.8
GRAPHS
FIGURE 1
Peak Pulse Power vs.
Pu
) in
lse Time (tW
μs
Pulse Time (tw) in
μs
Peak
Pulse
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(
P
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o CR
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g
1
.5KE400
A
FIGURE 2
Pulse Wave Form
TL Lead Temperature
oC
,e
3
FIGURE 3
Derating Curve
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
10-03-2007 REV F
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料
PDF描述
1N6285AE3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6285E3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6286E3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6287AE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6290AE3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N6285 制造商:CENTEC 功能描述:Transient Suppressor Diode, Single, Uni-Directional, 31.6 Volt, Axial-9.5
1N6285/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 39V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6285/4 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 39V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6285/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 39V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6285A 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 39V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C