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参数资料
| 型号： | 1N6286C |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 491K |
| 代理商： | 1N6286C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6290C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6297A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6492-JQRS.L1DE | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-205AF |
| 1N6492 | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-205AF |
| 12FLR10S02 | 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6286-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6286-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 43V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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