参数资料
| 型号： | 1N6290ARL4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 1500W 62V UNIDIRECT AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | Mosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 53V |
| 电压 - 击穿： | 58.9V |
| 功率（瓦特）： | 1500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1N6267A Series
100
10
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 5
100
80
60
40
20
1
0.1 m s
1 m s
10 m s 100 m s
t P , PULSE WIDTH
1 ms
10 ms
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Pulse Rating Curve
1N6373, ICTE-5, MPTE-5,
through
1N6389, ICTE-45, C, MPTE-45, C
Figure 2. Pulse Derating Curve
1N6267A/1.5KE6.8A
through
1N6303A/1.5KE200A
10,000
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
10,000
1000
MEASURED @
ZERO BIAS
MEASURED @ V RWM
MEASURED @ V RWM
100
100
10
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance versus Breakdown Voltage
5
3/8 ″
3/8 ″
100
t r
PEAK VALUE ? I PP
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF I PP .
tr ≤ 10 m s
4
3
50
HALF VALUE ?
I PP
2
2
1
t P
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
200
0
0
1
2
t, TIME (ms)
3
4
Figure 4. Steady State Power Derating
http://onsemi.com
4
Figure 5. Pulse Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6287ARL4G | TVS 1500W 47V UNIDIRECT AXIAL |
| 951274-7622-AR | CONN HEADER 74POS 2MM R/A SOLDER |
| 1N6285ARL4G | TVS 1500W 39V UNIDIRECT AXIAL |
| 961228-5500-AR-TP | CONN HEADER R/A 28POS GOLD SMD |
| 951260-7722-AR | CONN HEADER 60POS 2MM R/A SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6290-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 62V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6290-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 62V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6290-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 62V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6290-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 62V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6290-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 62V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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