型号: | 1N6292A.TR |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 341K |
代理商: | 1N6292A.TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1.5KE10A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
1.5KE120C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
1.5KE130A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6292-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6292-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6292-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6292-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6292HE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |