参数资料
型号: 1N6293A
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
文件页数: 1/6页
文件大小: 265K
代理商: 1N6293A
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PDF描述
1N6303A 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
1.5KE62CA 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N5294 0.75 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7
1N21CM SILICON, S BAND, MIXER DIODE, DO-22
1N21WEM SILICON, S BAND, MIXER DIODE, DO-23
相关代理商/技术参数
参数描述
1N6293A/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 82V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6293A/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 82V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6293A-E3/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 82V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6293A-E3/51 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 82V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
1N6293A-E3/54 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 82V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C