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参数资料
| 型号： | 1N6295 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | 1N6295 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N6296 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1N6297A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE100CA | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE20C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE82C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6295A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 100V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6295AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Tape and Reel |
| 1N6295AG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 100V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6295AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
| 1N6295AHE3/51 | 功能描述:TVS DIODE 137VC 82.4A IPP 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:散装 零件状态:停產 类型:齐纳 电压 - 反向关态（典型值）:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:137V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:82.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向 供应商器件封装:1.5KE 标准包装:1,500 |
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