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参数资料
| 型号： | 1N6295ATR |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 1N6295ATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6299ABK | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1N6302ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5CE220ABK | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5CE300ABK | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5CE27ABK | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N6295CA | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
| 1N6296A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 100V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6296A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6296A/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 1N6296A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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