型号: | 1N6295CA |
厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 1 , 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 380K |
代理商: | 1N6295CA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1KSMBJ8.2C | 1000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
1N5404-BC02-TP | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1N722A | 22 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N3949 | 20 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
1N1821CA | 22 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N6296A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 100V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6296A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6296A/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6296A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6296A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |