型号: | 1N6299A |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 102K |
代理商: | 1N6299A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1N4731C | 4.3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4749C | 24 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4754DTA | 39 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4758DRL2 | 56 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
1N4371CTA | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N6299A/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 150V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6299A/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6299A-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6299A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
1N6299A-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 150V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |